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令餘子賢興奮的是，在蔡俊傑的研究資料裡面看見了光刻技術工序工藝中，與最重要工藝的電子束曝光系統對應的微米級掩模的製造。

聽著好像有點繞口、難懂，但是要說這種微米掩模技術的先進性，還得從掩模技術的發展說起。

晶片的生產流程圖簡單來說要經過IC設計、製版、晶片加工，封裝、測試包裝幾大環節，如果簡單地打個比方來說，如果比喻成一本書的印刷的話，就是：寫作、排版、印刷、裝訂、檢驗、打包。

而前面說的掩模對應書本印刷裡面的排版，只要排好版了，對著版面印刷，才能印出一本整齊漂亮的書。同理，在晶片加工之前，需要將設計好的晶片版圖進行製版，只有以此為模板，進行晶片製造光刻，才能製造出裸晶，再這些裸晶中檢測挑選出好的，最後晶片進行封裝，才算是一顆可用的晶片。

再往細了說，就是光刻工藝是晶片製造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形複製到矽片上，為下一步進行刻蝕或者離子注入工序做好準備。

在晶片製作過程的光刻工序，通常需要經過多次光刻工藝，在半導體晶體表面的介質層上開鑿各種摻雜視窗、電極接觸孔或在導電層上刻蝕金屬互連圖形。

而光刻工藝需要一整套（幾塊多至十幾塊）相互間能精確套準的、具有特定幾何圖形的光復印掩蔽模版，簡稱光掩模版。

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