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從理論上講，另一個時空的光刻機可以透過沉浸技術將193奈米提升到132奈米，那麼如今365奈米裝置就可以提升到248nm，而248奈米則可以提升到161奈米。

從實際上講，這項技術也可以立刻將當前的光刻技術提升百分之十五到百分之三十。

也就是說，僅靠這項技術，也足以填平或者跨越一代代差。

在另一個時空該項技術被IBM率先應用於45奈米節點商用晶片製造，緊跟著ASML、尼康等廠商很快都在193奈米沉浸原型系統取得了突破，可見技術難度其實並不太大。

只不過目前光刻機的製程還遠沒有達到瓶頸，因此對於這些“邪修招數”，所有廠商都是等到製程抵達193奈米瓶頸後才啟動的研製計劃，目前對這技術還沒有重視。

而作為過來人的周至，這個漏當然要撿，早就開始了專利佈局。

周至的計劃是，如果引進不到目前最先進的248nmDUV光刻機，只能引進到365奈米裝置的話，就附加上這項技術，將365奈米i線裝置提升到248nm，同樣追平世界最先進水平，打所有人一個出其不意。

如果引進到248nm裝置的話，再迭加上這項技術，呵呵呵呵……

當然了，要實現這個功能，需要攻克浸沒環境缺陷控制、抗蝕劑相容性等技術難點。但克服這些難點所需要的投入和研發難度，卻遠比硬搓升級的難度小得太多太多。

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