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“胡正明教授的技術你們已經拿到手了？”胡長風問道。

“胡教授這個人，還有他的技術，我們安盛技術情報司一直在跟蹤。”周至說道：“他47年出生於BJ，68年從臺島大學電機系畢業；1969年赴加州大學伯克利分校留學，先後獲得碩士、博士學位；73年博士畢業後前往麻省理工學院任助理教授；76年回到加州大學伯克利分校電子工程與計算機科學系任教；”

“胡教授第一次來大陸是1985年，應嚴東生院士邀請，胡正明和另外兩位美國科學家，向國家部委提出了發展微電子科學技術的戰略性重要諮詢建議。”

“1990年，胡正明在北大與清華設定五名研究生獎學金，並鼓勵中國留學生回國發展半導體工業。同時擔任舊金山東灣中文學校董事長，與父親胡素鴻先生、弟弟胡正大博士在金壇市第一中學設立胡氏獎助基金，用以獎勵每屆高中畢業生中品學兼優、家境較差而有志升大學者。”

“去年，胡正明理論成熟，創辦思略微電子有限公司兼任董事長。”

“我們集團是95年開始從技術上關注他的，當時他領導研究出BSIM，從實際MOSFET電晶體的複雜物理推演出一種新型的數學模型。”周至看了一眼麥小苗：“在小苗的提醒下，我們注意到該數學模型可以成為設計晶片的標準，且屬於全新的結構，一旦被證實為可靠，那麼就可以利用熱電子失效的物理機制，開發出用碰撞電離電流快速預測器件壽命的方法，並且提出薄氧化層失效的物理機制和用高電壓快速預測薄氧化層壽命的方法。”

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